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Datasheet下载- 型号： SI7120DN-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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SI7120DN-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7120DN-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7120DN-T1-GE3价格参考。VishaySI7120DN-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 6.3A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK® 1212-8。您可以下载SI7120DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7120DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7120DN-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，常用于需要高效功率控制和低导通电阻的场合。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式电子设备中的电源开关和负载管理，因其低导通电阻（Rds(on)）可减少功率损耗并提高能效。 2. 电池供电系统：在电池管理系统（BMS）中用于控制充放电路径，提供高效的电池保护与切换功能。 3. DC-DC 转换器：用于同步整流或高频开关电路中，提高转换效率，适用于各类电源适配器、电源模块等。 4. 负载开关：作为高侧或低侧开关，控制电机、LED 灯、风扇等负载的通断，具有响应快、寿命长的优势。 5. 工业控制系统：如工业自动化设备、传感器模块中的功率控制部分，具备良好的热稳定性和可靠性。 该器件采用小型封装（如PowerPAK® SO-8），适合空间受限的设计，同时具备高耐压（-20V）、低栅极电荷等特性，适用于高频开关和高效能要求的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8MOSFET 60V 10A 3.8W 19mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.3 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7120DN-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7120DN-T1-GE3SI7120DN-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
| Pd-功率耗散 | 1.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 19 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 19 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 19 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 其它名称 | SI7120DN-T1-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 50 ns |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET/PowerPAK |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.3A （Ta） |
| 系列 | SI71xxDx |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI7120DN-GE3 |
