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产品简介:
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FQPF9N25CYDTU 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。其应用场景主要集中在需要高效开关和低功耗的领域,具体包括以下方面: 1. 电源管理: 该型号适用于各种电源转换电路,如 DC-DC 转换器、开关模式电源(SMPS)、降压/升压转换器等。其低导通电阻(Rds(on))特性能够减少传导损耗,提高效率。 2. 电机驱动: FQPF9N25CYDTU 可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,作为开关元件控制电机的启停、转速和方向。 3. 负载切换: 在需要频繁开启或关闭负载的场景中,例如汽车电子、工业设备或消费电子产品中,这款 MOSFET 可以实现快速且高效的负载切换。 4. 逆变器与变频器: 它可用于太阳能逆变器、UPS(不间断电源)以及家用电器中的变频器电路,提供稳定的开关性能和高可靠性。 5. 电池保护与管理: 在锂电池或其他可充电电池组中,FQPF9N25CYDTU 可用作保护开关,防止过充、过放或短路等情况发生。 6. 通信设备: 在基站、路由器或其他通信设备中,这款 MOSFET 可用于信号放大、电源调节等场合。 7. 汽车电子: 适合用于汽车内的各种电子系统,如照明控制、雨刷器驱动、座椅调节等,符合车规级应用对可靠性和耐用性的要求。 总结来说,FQPF9N25CYDTU 的典型应用场景涵盖了消费电子、工业自动化、汽车电子、通信设备以及绿色能源等多个领域,尤其适用于需要高效开关和低功耗的电路设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220FMOSFET 250V 8.8A N-Chan |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 8.8 A |
Id-连续漏极电流 | 8.8 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQPF9N25CYDTUQFET® |
数据手册 | |
产品型号 | FQPF9N25CYDTU |
Pd-PowerDissipation | 38 W |
Pd-功率耗散 | 38 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 430 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 430 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 250 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 85 ns |
下降时间 | 65 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 710pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 430 毫欧 @ 4.4A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220F |
典型关闭延迟时间 | 90 ns |
功率-最大值 | 38W |
包装 | 管件 |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
封装/箱体 | TO-220FP-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 250V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8.8A (Tc) |
系列 | FQPF9N25C |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |