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CSD17305Q5A产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD17305Q5A由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD17305Q5A价格参考。Texas InstrumentsCSD17305Q5A封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 29A(Ta),100A(Tc) 3.1W(Ta) 8-VSONP(5x6)。您可以下载CSD17305Q5A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CSD17305Q5A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD17305Q5A 是 Texas Instruments(德州仪器)生产的一款单N沟道增强型MOSFET,主要用于高效能电源转换和功率管理应用。其典型应用场景包括: 1. 同步整流:在DC-DC转换器中作为高效同步整流开关,提升转换效率,降低损耗。 2. 负载开关与电源管理:适用于服务器、通信设备及工业控制系统中的电源分配与负载切换控制。 3. 电机驱动与功率开关:用于小型电机、风扇或继电器的驱动电路中,实现快速开关控制。 4. 电池管理系统(BMS):在电池充放电保护电路中作为主开关器件,确保系统安全运行。 该MOSFET采用低导通电阻(Rds(on))设计,支持高电流能力,并具备良好的热性能,适合高频开关操作,广泛应用于通信电源、计算设备及工业自动化等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 100A 8SONMOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 29 A |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD17305Q5ANexFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CSD17305Q5A |
| Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
| Pd-功率耗散 | 3.1 W |
| Qg-GateCharge | 14.1 nC |
| Qg-栅极电荷 | 14.1 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.8 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.8 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.1 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.6V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2600pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18.3nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.4 毫欧 @ 30A,8V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25585 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SON(5x6) |
| 其它名称 | 296-25855-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD17305Q5A |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | Texas Instruments |
| 商标名 | NexFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 封装/箱体 | VSON-8 FET |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 139 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 29A(Ta), 100A(Tc) |
| 系列 | CSD17305Q5A |
| 视频文件 | http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=541363338001http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=1083957888001 |
| 设计资源 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/texas-instruments-webench-design-center/3176 |
| 配置 | Single |