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Datasheet下载- 型号： STF20N65M5
- 制造商： STMicroelectronics
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STF20N65M5产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STF20N65M5由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STF20N65M5价格参考。STMicroelectronicsSTF20N65M5封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 650V 18A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP。您可以下载STF20N65M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STF20N65M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STF20N65M5是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。该器件具有低导通电阻、高耐压（650V）和良好的热稳定性，适用于多种电力电子变换器设计。 主要应用场景包括： 1. 电源适配器与充电器：用于笔记本电脑、手机等便携设备的高效能AC-DC转换器中，提高转换效率并减小体积。 2. 工业电源系统：如服务器电源、通信设备电源模块，用于DC-DC转换电路，提供稳定高效的电力传输。 3. 电机驱动：在工业自动化和家电中的电机控制电路中，作为开关元件使用，支持PWM调速控制。 4. 照明系统：包括LED驱动电源，适用于高亮度LED照明的恒流源设计。 5. 新能源领域：如太阳能逆变器、储能系统中的功率转换模块，支持清洁能源系统的高效运行。 该MOSFET适用于高频开关应用，具备良好的EMI性能和耐用性，适合对效率和可靠性有较高要求的设计场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N CH 650V 18A TO-220FPMOSFET N-ch 650 V 0.168 Ohm 18 A MDmesh(TM) V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 18 A |
| Id-连续漏极电流 | 18 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STF20N65M5MDmesh™ V |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STF20N65M5 |
| Pd-PowerDissipation | 130 W |
| Pd-功率耗散 | 130 W |
| Qg-GateCharge | 36 nC |
| Qg-栅极电荷 | 36 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 190 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 190 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 650 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 7.5 ns |
| 下降时间 | 7.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1345pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 190 毫欧 @ 9A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 其它名称 | 497-13532 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF253454?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 30W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 18A （Tc） |
| 系列 | STF20N65M5 |
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