Datasheet下载- 型号： FDB047N10
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDB047N10由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB047N10价格参考。Fairchild SemiconductorFDB047N10封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDB047N10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDB047N10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FDB047N10是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要的应用领域和特点： 1. 开关电源（SMPS） - FDB047N10具有低导通电阻（Rds(on)）和高击穿电压（100V），非常适合用于开关电源中的功率开关。它能够高效地控制电流的开断，减少能量损耗。 - 应用于适配器、充电器以及DC-DC转换器中。 2. 电机驱动 - 在小型电机驱动应用中，FDB047N10可以用作开关元件，控制电机的启停、速度和方向。 - 其快速开关特性和低功耗特性使其成为风扇、泵和其他小型电机的理想选择。 3. 负载开关 - 该器件可用作负载开关，实现对电路中不同负载的动态管理。 - 在便携式设备（如笔记本电脑、平板电脑等）中，用于保护电路免受过流或短路的影响。 4. 电池管理 - 在电池管理系统（BMS）中，FDB047N10可以作为电池充放电路径的开关，确保电池的安全运行。 - 它能够承受瞬态电压波动，并提供高效的电流控制。 5. LED驱动 - 用于LED照明系统的恒流驱动电路中，控制LED的亮度和工作状态。 - 其低导通电阻有助于降低发热，提高系统效率。 6. 逆变器和光伏系统 - 在小型逆变器或光伏系统中，FDB047N10可作为功率开关，参与能量转换过程。 - 它的高耐压能力使其能够在太阳能电池板的直流到交流转换中发挥作用。 7. 保护电路 - 用于过流保护、短路保护和过温保护电路中，确保系统在异常情况下安全关闭。 总结 FDB047N10凭借其高击穿电压、低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等领域。其紧凑的封装形式（如TO-252/DPAK）也使其适合空间受限的设计场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 120A D2PAKMOSFET 100V N-Channel PowerTrench |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 164 A |
| Id-连续漏极电流 | 164 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDB047N10PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDB047N10 |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 375 W |
| Pd-功率耗散 | 375 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 386 ns |
| 下降时间 | 244 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 15265pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 210nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.7 毫欧 @ 75A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 其它名称 | FDB047N10CT |
| 典型关闭延迟时间 | 344 ns |
| 功率-最大值 | 375W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 1.762 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tc） |
| 系列 | FDB047N10 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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