Datasheet下载- 型号： NVD5890NLT4G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NVD5890NLT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVD5890NLT4G价格参考。ON SemiconductorNVD5890NLT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NVD5890NLT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NVD5890NLT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NVD5890NLT4G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。该型号的 MOSFET 具有低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和出色的性能参数，适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 NVD5890NLT4G 可用于 DC-DC 转换器、降压/升压转换器以及开关电源（SMPS）中，作为功率开关器件实现高效的电压转换和调节。其低导通电阻特性有助于减少功耗，提高系统效率。 2. 电机驱动 该 MOSFET 适合用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，能够快速切换电流方向并控制电机转速和方向。其高开关速度和低损耗特性使其在电机驱动应用中表现出色。 3. 负载开关 在消费电子设备（如智能手机、平板电脑等）中，NVD5890NLT4G 可用作负载开关，动态控制不同模块的供电状态，从而降低功耗并延长电池寿命。 4. 电池保护 该器件可用于锂电池或其他可充电电池的保护电路中，防止过流、短路或反向电流对电池造成损害。其低导通电阻可以减少电池放电时的电压降。 5. 逆变器和光伏系统 在小型逆变器或光伏系统的功率转换部分，NVD5890NLT4G 可以作为关键的功率开关元件，帮助实现高效的能量转换和传输。 6. 汽车电子 该 MOSFET 还适用于汽车电子中的各种应用，例如车载充电器、LED 照明驱动、电动助力转向系统（EPS）等。其耐用性和可靠性能够满足汽车环境的严格要求。 7. 信号切换 在需要高频信号切换的场景中，NVD5890NLT4G 的高开关速度和低电容特性使其成为理想选择，例如数据通信接口或射频电路中的信号路由。 总之，NVD5890NLT4G 凭借其优异的电气特性和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和可再生能源等领域，为各种电力转换和控制需求提供高效解决方案。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 123A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NVD5890NLT4G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4760pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 42nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.7 毫欧 @ 50A，10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 4W |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 24A （Ta）， 123A （Tc） |
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