Datasheet下载- 型号： PSMN1R6-40YLC,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN1R6-40YLC,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN1R6-40YLC,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN1R6-40YLC,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN1R6-40YLC,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN1R6-40YLC,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN1R6-40YLC,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 N 通道 MOSFET，属于晶体管中的 FET（场效应晶体管）类别。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高效率和优异的热性能，适用于对功率密度和能效要求较高的应用场景。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：广泛用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和负载开关，因其低导通损耗可提升整体能效。 2. 电机驱动：适用于工业和消费类设备中的小型电机控制，如电动工具、风扇和泵类系统。 3. 电池供电设备：在便携式电子产品（如笔记本电脑、移动电源）中用作功率开关，有助于延长电池续航时间。 4. 汽车电子：用于车载电源系统、LED 照明驱动和辅助电机控制，满足汽车行业对可靠性和高温工作能力的要求。 5. 热插拔与电源分配：适合用于服务器、通信设备中的热插拔控制器，提供过流保护和软启动功能。 该 MOSFET 采用 LFPAK56 封装，具备优良的散热性能和机械可靠性，适合自动化生产。其 40V 耐压和高电流承载能力（持续电流可达 180A）使其在高功率密度设计中表现突出。综合来看，PSMN1R6-40YLC 特别适用于需要高效、紧凑和高可靠性的现代电力电子系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK-SO8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PSMN1R6-40YLC,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.95V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7790pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 126nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.55 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-9907-6 |
| 功率-最大值 | 288W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-1023， 4-LFPAK |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tmb） |
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