Datasheet下载- 型号： PSMN1R6-40YLC,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN1R6-40YLC,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN1R6-40YLC,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN1R6-40YLC,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN1R6-40YLC,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN1R6-40YLC,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN1R6-40YLC,115 是恩智浦（NXP USA Inc.）推出的高性能N沟道逻辑电平增强型MOSFET，采用LFPAK56（Power-SO8）封装，具有超低导通电阻（Rds(on)典型值仅1.6 mΩ @ Vgs=10V，2.2 mΩ @ Vgs=4.5V）、快速开关特性及优异热性能。其主要应用场景包括： - 高效率DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备和工业电源中的同步整流BUCK转换器、POL（负载点）模块，提升能效并降低温升； - 电动工具与电池供电设备：适用于40V系统下的电机驱动H桥/半桥电路，支持大电流（ID连续达120A，脉冲240A），满足启停瞬态需求； - LED照明驱动：作为PWM调光开关或恒流控制开关，实现高效、低噪声调光； - 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101标准（注：该型号为工业级，非车规版；若用于车载需确认具体批次认证），可用于车身控制模块（如座椅调节、车窗升降）中的负载开关； - 固态继电器（SSR）与电子保险丝：凭借低Rds(on)和强短路耐受能力，替代机械继电器或实现过流保护功能。 其逻辑电平驱动特性（Vgs(th)低至1.0–2.1V）便于与3.3V/5V MCU直接连接，简化驱动设计；LFPAK封装提供优于传统TO-252的功率密度与热阻（Rth(j-c) ≈ 0.9°C/W），适合紧凑型高功率应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK-SO8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PSMN1R6-40YLC,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.95V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7790pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 126nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.55 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-9907-6 |
| 功率-最大值 | 288W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-1023， 4-LFPAK |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tmb） |
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