Datasheet下载- 型号： FQB20N06TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB20N06TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB20N06TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB20N06TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB20N06TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB20N06TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB20N06TM 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于各种电源管理和功率转换场合。该器件具有20A连续漏极电流和60V漏源击穿电压，导通电阻低，适合高效率、高频开关应用。 其主要应用场景包括： 1. 电源适配器与充电器：用于AC-DC转换电路中的开关元件，提高转换效率并减小体积。 2. DC-DC转换器：在降压（Buck）或升压（Boost）电路中作为主开关，适用于服务器、通信设备及工业电源。 3. 电机驱动：用于直流电机或步进电机的控制电路中，实现高效能驱动。 4. 负载开关：作为高侧或低侧开关控制负载通断，常见于电池管理系统或智能电源管理设备。 5. 逆变器与UPS系统：用于不间断电源或光伏逆变器中，实现直流到交流的能量转换。 6. 汽车电子：适用于车载电源系统、LED照明驱动等场景，具备良好的热稳定性和可靠性。 该MOSFET采用TO-252封装，便于散热和PCB安装，适用于中高功率应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 20A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB20N06TM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 590pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 60 毫欧 @ 10A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 3.75W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Tc） |
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