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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMN2A01FTA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMN2A01FTA价格参考。Diodes Inc.ZXMN2A01FTA封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ZXMN2A01FTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZXMN2A01FTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的ZXMN2A01FTA是一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于多种电子电路中。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面: 1. 开关电源(SMPS):该器件适用于开关模式电源中的高频开关应用,例如DC-DC转换器、降压或升压转换器等。由于其低导通电阻和快速开关特性,能够有效减少功率损耗并提高效率。 2. 负载开关:在便携式设备如智能手机、平板电脑及笔记本电脑中作为负载开关使用,控制不同电路模块的供电状态以节省电能。 3. 电机驱动:可用于小型直流电机驱动电路,提供高效的电流控制,支持正向和反向旋转以及速度调节等功能。 4. 电池管理:用于锂离子电池保护电路中,实现过充、过放、短路保护等功能;也可用作充电路径管理的一部分,确保安全可靠的充电过程。 5. 信号切换与隔离:在音频设备、通信系统等领域充当信号切换元件,将不同来源的信号路由到指定目的地,同时保持良好的电气隔离性能。 6. 背光驱动:在LED背光显示面板中担任驱动角色,精确调节亮度水平以满足视觉需求。 7. 汽车电子:尽管具体规格需符合车规标准,但类似产品常被用于车载音响、导航系统、车身控制模块(BCM)等场合。 总之,ZXMN2A01FTA凭借其出色的电气特性和可靠性,在消费类电子产品、工业自动化、通信基础设施等多个行业中均有广泛应用潜力。选择时应根据实际工作条件(如电压、电流、频率等)来评估是否适合特定应用环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3MOSFET 20V N-Chnl UMOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.2 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMN2A01FTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXMN2A01FTA |
| Pd-PowerDissipation | 625 mW |
| Pd-功率耗散 | 625 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 225 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 225 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 5.21 ns |
| 下降时间 | 5.21 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 700mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 303pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 120 毫欧 @ 4A,4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | ZXMN2A01FDKR |
| 其它图纸 |
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| 典型关闭延迟时间 | 7.47 ns |
| 功率-最大值 | 625mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.9A (Ta) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |