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  • 型号: MGSF2N02ELT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
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MGSF2N02ELT1G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MGSF2N02ELT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MGSF2N02ELT1G价格参考¥1.12-¥2.66。ON SemiconductorMGSF2N02ELT1G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, N-Channel 20V 2.8A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载MGSF2N02ELT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MGSF2N02ELT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MGSF2N02ELT1G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,属于低压、小功率场效应晶体管,常用于开关和信号控制应用。其主要应用场景包括:

1. 便携式电子设备:由于导通电阻低(RDS(on)典型值约0.55Ω)、功耗小,适合用于智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等电池供电设备中的电源管理与负载开关。

2. 电源开关与DC-DC转换:在低压DC-DC转换器中作为同步整流或开关元件,提升转换效率,广泛应用于小型电源模块和嵌入式系统。

3. LED驱动电路:可用于控制LED的开启与关闭,尤其适用于低电流LED指示灯或背光控制。

4. 电机驱动与继电器驱动:在微型直流电机或电磁继电器的控制电路中作为开关元件,实现对负载的快速通断控制。

5. 逻辑电平转换与信号切换:因其响应速度快、输入阻抗高,可应用于数字电路中的电平转换或信号通断控制,如I²C总线缓冲、GPIO扩展等。

6. 消费类电子产品:如智能手表、无线充电器、USB接口保护电路等,用于过流保护、热插拔控制等功能。

该器件采用SOT-23封装,体积小巧,适合高密度贴装,工作温度范围宽(-55°C至+150°C),可靠性高,是中小功率开关应用的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT-23MOSFET NFET SOT23 20V 2.8A 85mOhm

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

2.8 A

Id-连续漏极电流

2.8 A

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor MGSF2N02ELT1G-

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产品型号

MGSF2N02ELT1G

Pd-PowerDissipation

1.25 W

Pd-功率耗散

1.25 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

85 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

85 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

上升时间

95 ns

下降时间

95 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

150pF @ 5V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

3.5nC @ 4V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

85 毫欧 @ 3.6A,4.5V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

其它名称

MGSF2N02ELT1GOSTR

典型关闭延迟时间

28 ns

功率-最大值

1.25W

功率耗散

1.25 W

包装

带卷 (TR)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

85 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

汲极/源极击穿电压

20 V

漏极连续电流

2.8 A

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.8A (Ta)

系列

MGSF2N02EL

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

+/- 8 V

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