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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD20P06L-1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD20P06L-1G价格参考。ON SemiconductorNTD20P06L-1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTD20P06L-1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTD20P06L-1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD20P06L-1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 P 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其典型应用场景包括: 1. 电源管理 - 负载开关:用于控制电路中负载的通断,实现高效、低损耗的切换。 - 降压转换器:在 DC-DC 转换器中作为同步整流开关或高端开关使用,提高效率并降低功耗。 - 电池保护电路:用于锂电池或其他电池管理系统中,防止过充、过放或短路。 2. 电机驱动 - 在小型电机驱动应用中,作为开关元件控制电机的启停和方向。 - 可用于低电压直流电机(如风扇、泵等)的驱动电路。 3. 汽车电子 - 车身控制系统:应用于车窗升降、座椅调节、雨刷控制等场景。 - LED 照明驱动:用于车内或外部 LED 灯的亮度调节和开关控制。 4. 消费电子产品 - 便携式设备:如平板电脑、智能手机充电器中的电源路径管理。 - 音频设备:用于功率放大器的开关或保护电路。 5. 工业控制 - 继电器替代:利用其快速开关特性和长寿命特性,替代传统机械继电器。 - 传感器接口:用于控制传感器的供电或信号传输。 特性优势 - 低导通电阻:典型值为 0.075 Ω(@ VGS = -4.5V),减少导通时的功率损耗。 - 高电流能力:连续漏极电流可达 -11 A,适合大电流应用。 - 快速开关速度:降低开关损耗,适用于高频应用。 - 耐高压:最大漏源电压为 -60 V,适应较宽的工作电压范围。 总之,NTD20P06L-1G 适合需要高效开关、低功耗和高可靠性的各种应用场景,尤其是在中小功率的电源管理和电机驱动领域表现优异。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET P-CH 60V 15.5A IPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTD20P06L-1G |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1190pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 150 毫欧 @ 7.5A,5V |
供应商器件封装 | I-Pak |
功率-最大值 | 65W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
标准包装 | 75 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 15.5A (Ta) |