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  • 型号: SI3499DV-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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SI3499DV-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI3499DV-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3499DV-T1-GE3价格参考。VishaySI3499DV-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 8V 5.3A(Ta) 1.1W(Ta) 6-TSOP。您可以下载SI3499DV-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI3499DV-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI3499DV-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于功率 MOSFET 器件,适用于需要高效开关和功率控制的多种电子系统。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,广泛应用于以下场景:

1. 电源管理:用于 DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器、同步整流电路中,提升电源转换效率,减小体积。

2. 负载开关与电源分配:在服务器、通信设备和工业控制系统中,作为负载开关控制电源的通断,实现高效能与过载保护。

3. 马达驱动与功率控制:用于直流马达控制、电动工具、无人机等设备中,实现对功率输出的精确控制。

4. 电池管理系统(BMS):在锂电池保护电路中作为充放电控制开关,保障电池使用安全。

5. 汽车电子:用于车载电源系统、LED 照明驱动、车载充电器等场景,满足汽车电子对可靠性和效率的高要求。

6. 消费类电子产品:如笔记本电脑、平板、智能家电等设备中的电源管理模块。

该 MOSFET 采用小型封装(如 TSOP),适合高密度 PCB 设计,适用于需要节能与高效能的各类现代电子设备。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOPMOSFET 8.0V 7.0A 2.0W 23mohm @ 4.5V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平栅极,1.5V 驱动

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

5.3 A

Id-连续漏极电流

5.3 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI3499DV-T1-GE3TrenchFET®

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产品型号

SI3499DV-T1-GE3SI3499DV-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

1.1 W

Pd-功率耗散

1.1 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

23 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

23 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

8 V

Vds-漏源极击穿电压

- 8 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 5 V

Vgs-栅源极击穿电压

5 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

750mV @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

42nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

23 毫欧 @ 7A,4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

6-TSOP

其它名称

SI3499DV-T1-GE3DKR

功率-最大值

1.1W

包装

Digi-Reel®

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)

封装/箱体

TSOP-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

8V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

5.3A (Ta)

配置

Single

零件号别名

SI3499DV-GE3

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