Datasheet下载- 型号： IXTH12N100
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTH12N100由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTH12N100价格参考。IXYSIXTH12N100封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXTH12N100参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTH12N100 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTH12N100是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于单管类型，具有12A电流容量和1000V耐压。该器件适用于高电压、中等功率的开关应用，广泛用于电源转换系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器以及电机控制电路。 此外，IXTH12N100也常用于逆变器、UPS（不间断电源）系统及照明镇流器中，尤其适合需要高效能与高可靠性的工业控制设备。其高耐压特性使其在高压电路中表现出良好的稳定性和耐用性，同时具备较低的导通损耗和快速开关能力，有助于提高整体系统效率。 该MOSFET采用TO-247封装，便于散热和安装，适用于多种功率电子设备的设计与制造。由于其性能稳定，该器件也可用于新能源领域，例如太阳能逆变系统和风能转换系统中的功率调节模块。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IXTH12N100 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MegaMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 170nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.05 欧姆 @ 6A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-247 （IXTH） |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 1000V（1kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Tc） |
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