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  • 型号: SIHG73N60E-E3
  • 制造商: Vishay
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SIHG73N60E-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHG73N60E-E3价格参考。VishaySIHG73N60E-E3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SIHG73N60E-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIHG73N60E-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SIHG73N60E-E3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统中。该器件具有低导通电阻、高耐压(600V)和大电流承载能力,适用于多种功率转换场景。

其主要应用场景包括:

1. 电源供应器:用于开关电源(SMPS)中的主开关元件,提高转换效率并减少发热。
2. 电机驱动:在工业自动化和电机控制中,作为高效开关用于控制电机的启停与调速。
3. 逆变器系统:应用于太阳能逆变器、UPS(不间断电源)等系统中,实现直流到交流的高效转换。
4. 充电器与电池管理系统:用于电动车、储能系统等的充电控制电路中,确保高效率和安全性。
5. 照明设备:在高亮度 LED 照明或 HID 灯镇流器中作为功率开关使用。

该 MOSFET 采用表面贴装封装,适合自动化装配,广泛应用于工业控制、消费电子和汽车电子领域。其高可靠性和优异的热性能使其在高温环境下仍能稳定工作。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Vishay Siliconix

数据手册

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产品图片

产品型号

SIHG73N60E-E3

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

7700pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

362nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

39 毫欧 @ 36A,10V

供应商器件封装

TO-247AC

功率-最大值

520W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-247-3

标准包装

500

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

73A (Tc)

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