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产品简介:
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Vishay Siliconix 的 SIHG73N60E-E3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统中。该器件具有低导通电阻、高耐压(600V)和大电流承载能力,适用于多种功率转换场景。 其主要应用场景包括: 1. 电源供应器:用于开关电源(SMPS)中的主开关元件,提高转换效率并减少发热。 2. 电机驱动:在工业自动化和电机控制中,作为高效开关用于控制电机的启停与调速。 3. 逆变器系统:应用于太阳能逆变器、UPS(不间断电源)等系统中,实现直流到交流的高效转换。 4. 充电器与电池管理系统:用于电动车、储能系统等的充电控制电路中,确保高效率和安全性。 5. 照明设备:在高亮度 LED 照明或 HID 灯镇流器中作为功率开关使用。 该 MOSFET 采用表面贴装封装,适合自动化装配,广泛应用于工业控制、消费电子和汽车电子领域。其高可靠性和优异的热性能使其在高温环境下仍能稳定工作。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SIHG73N60E-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7700pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 362nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 39 毫欧 @ 36A,10V |
| 供应商器件封装 | TO-247AC |
| 功率-最大值 | 520W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 73A (Tc) |