Datasheet下载- 型号： MMBTH10M3T5G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBTH10M3T5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBTH10M3T5G价格参考。ON SemiconductorMMBTH10M3T5G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBTH10M3T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBTH10M3T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的MMBTH10M3T5G是一款高频NPN型射频双极结型晶体管（BJT），主要用于小信号放大和射频应用。该器件采用SOT-23封装，具有体积小、可靠性高、高频响应好等特点，适用于对空间和性能要求较高的便携式电子设备。 其典型应用场景包括：无线通信设备中的射频信号放大，如蓝牙模块、Wi-Fi模块、ZigBee等短距离无线传输系统；手机、平板电脑和其他移动终端中的射频前端电路；低噪声放大器（LNA）和中频放大器设计；以及各类消费类电子产品的无线连接功能模块。 MMBTH10M3T5G具备良好的增益特性和较低的噪声系数，适合在高达数百MHz至数GHz频率范围内稳定工作，能够有效提升射频系统的接收灵敏度和信号质量。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品制造。 综上，MMBTH10M3T5G广泛应用于需要高性能、小尺寸射频晶体管的无线通信与便携式设备中，是中低功率射频放大电路的理想选择之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN VHF/UHF 25V SOT-723两极晶体管 - BJT SOT723 VHF NPN TRANS |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MMBTH10M3T5G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBTH10M3T5G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 4mA，10V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-723 |
| 功率-最大值 | 265mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 3 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | - |
| 增益 | - |
| 增益带宽产品fT | 650 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-723 |
| 封装/箱体 | SOT-723 |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 640 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 25V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 60 at 4 mA at 10 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 60 at 4 mA at 10 V |
| 系列 | MMBTH10M3 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 25 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 30 V |
| 频率-跃迁 | 650MHz |
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