NTB25P06T4G产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供NTB25P06T4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTB25P06T4G价格参考。ON SemiconductorNTB25P06T4G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， P-Channel 60V 27.5A (Ta) 120W (Tj) Surface Mount D2PAK。您可以下载NTB25P06T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTB25P06T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor（安森美）的NTB25P06T4G是一款P沟道增强型MOSFET，属于晶体管中的FET类别。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关效率和良好的热稳定性，适用于多种电源管理与功率控制场景。

主要应用场景包括：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）中的电源开关与电池管理，用于实现负载开关、电源路径控制和反向电流阻断；在DC-DC转换器中作为同步整流或高端/低端开关，提升转换效率；还可用于电机驱动、LED驱动电路及各类消费类电子产品中的低电压控制模块。

由于其SOT-223封装形式，具备良好的散热性能，适合空间受限但对功耗敏感的设计。此外，NTB25P06T4G符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，广泛应用于工业控制、家电和通信设备等领域。其60V耐压和-2.5A连续漏极电流能力，使其在中等功率应用中表现稳定可靠。总体而言，该MOSFET凭借高性价比和稳定性能，适用于需要高效、小型化功率开关解决方案的场合。

NTB25P06T4G产品简介：

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ON Semiconductor（安森美）的NTB25P06T4G是一款P沟道增强型MOSFET，属于晶体管中的FET类别。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关效率和良好的热稳定性，适用于多种电源管理与功率控制场景。

主要应用场景包括：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）中的电源开关与电池管理，用于实现负载开关、电源路径控制和反向电流阻断；在DC-DC转换器中作为同步整流或高端/低端开关，提升转换效率；还可用于电机驱动、LED驱动电路及各类消费类电子产品中的低电压控制模块。

由于其SOT-223封装形式，具备良好的散热性能，适合空间受限但对功耗敏感的设计。此外，NTB25P06T4G符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，广泛应用于工业控制、家电和通信设备等领域。其60V耐压和-2.5A连续漏极电流能力，使其在中等功率应用中表现稳定可靠。总体而言，该MOSFET凭借高性价比和稳定性能，适用于需要高效、小型化功率开关解决方案的场合。