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产品简介:
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NTMFS4897NFT3G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,属于功率MOSFET器件。该器件具有低导通电阻、高效率和良好热性能的特点,适用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:广泛用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等电路中,提高电源转换效率。 2. 电机控制:在电动工具、电动车及工业自动化设备中用于驱动直流电机或步进电机。 3. 电池管理系统(BMS):用于电池充放电控制与保护电路,实现高效能能量管理。 4. 汽车电子:如车载充电系统、LED照明驱动、车身控制模块等对可靠性要求较高的场景。 5. 消费类电子产品:如笔记本电脑、平板电脑和智能家电中的电源开关与负载管理。 该MOSFET采用T3G封装,体积小、便于PCB布局,适合高密度电源设计。因其良好的性能与稳定性,被广泛应用于工业、汽车及消费类电子领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 30V SO-8FL |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTMFS4897NFT3G |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5660pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 83.6nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2 毫欧 @ 22A,10V |
供应商器件封装 | 6-DFN,8-SO 扁平引线(5x6) |
功率-最大值 | 950mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-TDFN 裸焊盘(5 根引线) |
标准包装 | 5,000 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 17A (Ta), 171A (Tc) |