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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFPC50LCPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFPC50LCPBF价格参考。VishayIRFPC50LCPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFPC50LCPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFPC50LCPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFPC50LCPBF 是 Vishay Siliconix(现为 Vishay Microelectronics)生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件广泛应用于需要高效、高频率开关性能的电子系统中。 主要应用场景包括: 1. 电源管理与转换系统:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS)等,适用于需要高效能和小尺寸设计的场合。 2. 电机控制:用于电动工具、工业自动化设备、伺服控制系统中的电机驱动电路,提供快速开关和低导通损耗。 3. 负载开关与电源分配:在服务器、通信设备和消费类电子产品中作为高侧或低侧开关使用。 4. 电池管理系统(BMS):用于电动车、储能系统或便携式设备中,实现充放电控制与保护功能。 5. 照明系统:如LED驱动器、HID灯镇流器等,支持高频调光和稳定电流输出。 6. 汽车电子应用:尽管其封装形式更常见于工业用途,但在非车载汽车配件或辅助系统中也有一定应用潜力。 该MOSFET具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压(最高500V)及良好热稳定性,适合高效率和紧凑型设计需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 600V 11A TO-247ACMOSFET N-Chan 600V 11 Amp |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 11 A |
Id-连续漏极电流 | 11 A |
品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFPC50LCPBF- |
数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91242 |
产品型号 | IRFPC50LCPBFIRFPC50LCPBF |
Pd-PowerDissipation | 190 W |
Pd-功率耗散 | 190 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 600 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 600 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 32 ns |
下降时间 | 26 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2300pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 84nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 600 毫欧 @ 6.6A,10V |
产品目录绘图 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-247-3 |
其它名称 | *IRFPC50LCPBF |
典型关闭延迟时间 | 41 ns |
功率-最大值 | 190W |
包装 | 管件 |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 |
工厂包装数量 | 500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 500 |
正向跨导-最小值 | 7 S |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 11A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |