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产品简介:
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STMicroelectronics(意法半导体)的STB3NK60ZT4是一款N沟道增强型高压MOSFET,属于晶体管中的功率MOSFET类别。该器件具有600V的高耐压和3A的连续漏极电流能力,采用TO-252(DPAK)贴片封装,具备良好的热性能和可靠性。 STB3NK60ZT4主要适用于需要高效开关和高电压操作的电源系统,典型应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):广泛用于AC-DC转换器中,如手机充电器、适配器、电视电源等,因其高击穿电压和低导通电阻,有助于提升能效并降低发热。 2. 照明应用:适用于LED驱动电源,特别是在离线式LED照明系统中,可实现高效率和高功率因数。 3. 电机控制:在小型家电或工业控制中的低压电机驱动电路中作为开关元件使用。 4. DC-DC转换器:用于升压或降压拓扑结构中,支持高频开关,减小磁性元件体积,提高电源密度。 5. 待机电源与辅助电源:在主电源关闭后仍需供电的电路中,如电视、电脑的待机模块。 该MOSFET还具备雪崩能量耐受能力强、抗干扰性好等特点,适合工作在恶劣电气环境中。其内置的快速体二极管也增强了在感性负载下的可靠性。 综上所述,STB3NK60ZT4是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET,特别适用于中小功率的高电压开关电源及节能照明系统,是现代电子设备中实现高效能源转换的关键元件之一。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 600V 2.4A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | STMicroelectronics |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | STB3NK60ZT4 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | SuperMESH™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 50µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 311pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11.8nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.6 欧姆 @ 1.2A,10V |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF67129?referrer=70071840 |
功率-最大值 | 45W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 1,000 |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.4A (Tc) |