Datasheet下载- 型号： IRLR2905TRR
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR2905TRR由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR2905TRR价格参考。International RectifierIRLR2905TRR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRLR2905TRR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLR2905TRR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRLR2905TRR的晶体管，属于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别，具体为单个N沟道MOSFET。该器件广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。 IRLR2905TRR的主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关，提升电源转换效率。 2. 电机控制：在电动工具、电动车和工业电机驱动中作为开关元件，实现高效调速与控制。 3. 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电控制与保护电路，确保电池安全运行。 4. 汽车电子：如车载充电器、车身控制模块等，满足汽车环境对高可靠性和稳定性的需求。 5. 工业自动化：用于PLC、伺服驱动器和工业电源，提升系统效率与响应速度。 该MOSFET具有低导通电阻、高电流承载能力和优良的热稳定性，适合高频开关操作，适用于多种高效能电源转换与控制场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRLR2905TRR |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1700pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 48nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 27 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 110W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 42A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irlr2905.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irlr2905.spi |
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