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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMC610P由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMC610P价格参考。Fairchild SemiconductorFDMC610P封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDMC610P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMC610P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDMC610P是安森美(ON Semiconductor)生产的一款P沟道MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET),常用于电源管理与开关控制场景。该器件采用先进的功率封装技术,具备低导通电阻(RDS(on))、高效率和良好的热性能,适用于需要节能和紧凑设计的电子系统。 主要应用场景包括:便携式电子产品(如智能手机、平板电脑)中的电池电源开关和负载管理;笔记本电脑或主板上的DC-DC转换电路,用于电压调节和电源分配;各类消费类电子设备中的极性保护和反向电流阻断功能;工业控制模块中的低功耗开关电路;以及LED驱动、电机驱动等功率控制场合。 由于其P沟道特性,FDMC610P在栅极加负压或零压时导通,控制逻辑简单,适合用作高端或低端开关,尤其在空间受限且对能效要求较高的应用中表现优异。此外,该器件具有优良的抗瞬态能力,增强了系统可靠性。 综上,FDMC610P广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制及便携式电源管理系统中,是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 80A POWER33MOSFET P-CH PowerTrench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 80 A |
| Id-连续漏极电流 | - 80 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMC610PPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDMC610P |
| Pd-PowerDissipation | 2.4 W |
| Pd-功率耗散 | 2.4 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.9 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.9 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 12 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 12 V |
| 上升时间 | 37 ns |
| 下降时间 | 87 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1250pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 99nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.9毫欧 @ 22A, 4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | Power33 |
| 其它名称 | FDMC610PDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 193 ns |
| 功率-最大值 | 2.4W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 32.130 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 封装/箱体 | Power 33-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 16 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 80A (Tc) |
| 系列 | FDMC610P |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |