Datasheet下载- 型号： IRLR8256PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR8256PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR8256PBF价格参考。International RectifierIRLR8256PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRLR8256PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLR8256PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRLR8256PBF 是一款N沟道功率MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的电源管理系统中。该器件具有低栅极电荷、低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，适合在低电压、大电流环境下稳定工作。 典型应用场景包括：直流-直流（DC-DC）转换器，常用于服务器、台式机和笔记本电脑的电源模块，提升能效并减少发热；电机驱动电路，如电动工具、家用电器和工业控制设备中的直流电机控制；电池供电系统，例如便携式设备和电动自行车中的电源管理单元；此外，也适用于负载开关、热插拔控制器和电源逆变器等场合。 由于其符合RoHS标准并采用Pb-Free环保封装，IRLR8256PBF还适用于对环保要求较高的消费电子与工业产品。其高性能和高可靠性使其在需要紧凑设计和高效散热的应用中表现优异，是现代电力电子系统中常用的功率开关元件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 81A DPAKMOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 5.7mOhms 10nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 81 A |
| Id-连续漏极电流 | 81 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLR8256PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLR8256PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 63 W |
| Pd-功率耗散 | 63 W |
| Qg-GateCharge | 10 nC |
| Qg-栅极电荷 | 10 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 8.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1470pF @ 13V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.7 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 63W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 81A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irlr_u8256pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irlr_u8256pbf.spi |
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