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  • 型号: TN2404K-T1-E3
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供TN2404K-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TN2404K-T1-E3价格参考。VishayTN2404K-T1-E3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TN2404K-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TN2404K-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix的TN2404K-T1-E3是一款N沟道增强型MOSFET,主要应用于低电压、低功耗的场景中。以下是其典型的应用场景:

1. 便携式设备:由于其低导通电阻(Rds(on))和小封装尺寸,适合用于手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式电子产品的电源管理。

2. 负载开关:在需要快速切换负载的电路中,TN2404K-T1-E3可以作为高效的负载开关,控制电流流向特定电路或组件。

3. 电池管理:适用于锂离子电池保护电路,能够有效防止过充、过放和短路等情况,确保电池安全运行。

4. DC-DC转换器:该MOSFET可用于同步整流或降压/升压转换器中,提高转换效率并减少功率损耗。

5. 电机驱动:小型直流电机的驱动控制,例如玩具、家用电器中的电机控制,提供稳定的电流输出。

6. 信号切换:在音频、视频信号切换电路中使用,实现不同信号源之间的无缝切换。

7. 保护电路:如ESD(静电放电)保护、过流保护等,利用其快速响应特性来保护敏感电路免受瞬态电压影响。

总之,TN2404K-T1-E3因其优异的电气性能和紧凑的设计,非常适合各种消费类电子产品及工业应用中的功率管理和信号处理任务。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 240V 200MA SOT23-3MOSFET 240V 0.2A 4.0Ohm

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

200 mA

Id-连续漏极电流

200 mA

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix TN2404K-T1-E3-

数据手册

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产品型号

TN2404K-T1-E3TN2404K-T1-E3

Pd-PowerDissipation

360 mW

Pd-功率耗散

360 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

2.2 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

2.2 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

240 V

Vds-漏源极击穿电压

240 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

12 ns

下降时间

12 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

8nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4 欧姆 @ 300mA,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

其它名称

TN2404K-T1-E3DKR

典型关闭延迟时间

35 ns

功率-最大值

360mW

包装

Digi-Reel®

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

240V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

200mA (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

TN2404K-E3

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