Datasheet下载- 型号： SIHD6N65E-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIHD6N65E-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHD6N65E-GE3价格参考。VishaySIHD6N65E-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIHD6N65E-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIHD6N65E-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIHD6N65E-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，具有高耐压（650V）和中等电流能力（6A），适用于多种功率电子设备。该器件采用先进的沟槽技术，具备低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性，适合在高频和高效能场景中使用。 主要应用场景包括： 1. 电源转换器与适配器：用于笔记本电脑、手机充电器及工业电源中的AC-DC或DC-DC转换电路，实现高效的能量转换。 2. 电机驱动系统：应用于无刷直流电机（BLDC）或步进电机控制，支持快速开关动作，提升电机效率与响应速度。 3. 照明系统：如LED驱动电源中，作为主开关元件，提高系统效率并减小体积。 4. 工业自动化设备：用于PLC、继电器替代方案或传感器供电模块，提供可靠且紧凑的功率控制。 5. 新能源领域：例如太阳能逆变器、储能系统中的DC-AC转换部分，适应高电压工作环境并保证稳定运行。 该MOSFET封装形式为TO-252（DPAK），便于散热设计，适合表面贴装工艺，广泛用于对空间和效率有要求的应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 7A TO252 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SIHD6N65E-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 820pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 48nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 600 毫欧 @ 3A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30391 |
| 供应商器件封装 | D-PAK （TO-252AA） |
| 其它名称 | SIHD6N65E-GE3CT |
| 功率-最大值 | 78W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7A （Tc） |
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