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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFZ14STRLPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFZ14STRLPBF价格参考。VishayIRFZ14STRLPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFZ14STRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFZ14STRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix生产的IRFZ14STRLPBF是一款N沟道增强型功率MOSFET,属于单MOSFET晶体管。该器件采用高可靠性工艺制造,符合RoHS标准且无铅(Pb-free),适用于多种中低功率开关应用。 典型应用场景包括:电源管理电路,如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器和开关电源(SMPS)中的低边开关;电机控制,用于小型直流电机或步进电机的驱动模块;逆变器和UPS系统中的功率切换;以及各类消费类电子产品,如家电控制板、照明电源和充电设备。此外,由于其具备较低的导通电阻(Rds(on))和良好的开关特性,也适合用于电池供电设备中的负载开关或热插拔保护电路。 IRFZ14STRLPBF采用TO-252(D-Pak)封装,具有良好的散热性能,适合表面贴装工艺,广泛应用于工业控制、汽车电子(非动力系统)、通信设备和便携式电子产品中。其耐压为60V,适合在中等电压环境下稳定工作。总体而言,该MOSFET以高效率、高可靠性和紧凑封装,在需要节能与小型化的现代电子设计中具有广泛应用价值。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Vishay Siliconix |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRFZ14STRLPBF |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 300pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 200 毫欧 @ 6A,10V |
供应商器件封装 | TO-263(D2Pak) |
功率-最大值 | 3.7W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 800 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 10A (Tc) |