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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD6680由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD6680价格参考。Fairchild SemiconductorFDD6680封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDD6680参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDD6680 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDD6680是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于需要高效功率开关的场景。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、同步整流器和电源开关电路,因其低导通电阻和高效率,适合用于笔记本电脑、服务器和通信设备的电源系统。 2. 电机控制:在直流电机驱动和步进电机控制中作为功率开关,实现对电机转速和方向的调节。 3. 负载开关:用于控制高电流负载的通断,如LED照明、加热元件和风扇等。 4. 电池供电设备:常见于电动工具、无人机和便携式储能设备中,支持高效能和小型化设计。 5. 汽车电子:用于车载电源系统、电池管理系统(BMS)及辅助电机控制,满足汽车应用对可靠性和效率的高要求。 该器件采用PowerPAK封装,具备良好的热性能和高电流承载能力,适合高频率开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 12A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | FDD6680 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1230pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 10 毫欧 @ 12A,10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12A (Ta), 46A (Tc) |