Datasheet下载- 型号： SI4412ADY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4412ADY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4412ADY-T1-GE3价格参考。VishaySI4412ADY-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4412ADY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4412ADY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4412ADY-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于需要高效功率控制的电子设备中。该器件具有低导通电阻、高可靠性和良好的热稳定性，适合用于负载开关、电源管理、电池供电设备、DC-DC 转换器以及电机控制等场景。 在笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携式电子产品中，SI4412ADY-T1-GE3 常用于电源管理系统，实现对不同功能模块的高效开关控制，以延长电池续航时间。此外，在汽车电子系统中，如车载充电器、LED 照明和电机驱动电路中，该 MOSFET 也表现出良好的性能。 由于其封装体积小（TSOP），适合高密度 PCB 布局，因此也被广泛应用于通信设备和工业控制系统中，作为高效的功率开关元件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4412ADY-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA （最小） |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 24 毫欧 @ 8A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.8A （Ta） |
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