Datasheet下载- 型号： IRLR7833PBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR7833PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR7833PBF价格参考。International RectifierIRLR7833PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRLR7833PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLR7833PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的IRLR7833PBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别的产品。以下是该型号的应用场景： 1. 电源管理 - IRLR7833PBF具有低导通电阻（Rds(on)）和高效率特性，适合用于各种电源管理应用，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电压调节模块（VRM）等。 - 在这些应用中，它能够高效地控制电流流动，降低功率损耗。 2. 电机驱动 - 适用于小型直流电机或步进电机驱动电路，例如消费电子设备中的风扇、泵或玩具电机。 - 其低导通电阻和快速开关能力使其在电机控制中表现出色。 3. 电池管理系统（BMS） - 用于锂离子电池或其他可充电电池组的保护电路，作为电池充放电路径的开关。 - 能够有效防止过流、短路和过热等问题。 4. 负载切换 - 在便携式设备（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）中用作负载开关，控制不同电路模块的供电状态。 - 提供高效的负载切换功能，同时减少能量损失。 5. 汽车电子 - 适用于汽车电子系统中的低压应用，如车窗升降器、座椅调节器、雨刷控制器等。 - 符合车规级要求的版本还可用于更严苛的汽车环境。 6. 信号放大与缓冲 - 在某些信号处理电路中，IRLR7833PBF可以用作信号放大或缓冲元件，提供更高的驱动能力。 7. 逆变器与太阳能系统 - 在小型逆变器或太阳能微逆变器中，作为功率开关使用，帮助实现能量转换和管理。 总结 IRLR7833PBF凭借其低导通电阻（典型值为3.5mΩ）、低栅极电荷和快速开关速度，特别适合需要高效功率转换和低功耗的应用场景。其广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及新能源领域，是现代电子设计中不可或缺的功率器件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 140A DPAKMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 38nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 140 A |
| Id-连续漏极电流 | 140 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLR7833PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLR7833PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 140 W |
| Pd-功率耗散 | 140 W |
| Qg-GateCharge | 38 nC |
| Qg-栅极电荷 | 38 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.4 V to 2.3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.4 V to 2.3 V |
| 上升时间 | 6.9 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4010pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 50nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.5 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 典型关闭延迟时间 | 23 ns |
| 功率-最大值 | 140W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 4.5 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 75 |
| 正向跨导-最小值 | 66 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 140 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 140A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irlr_u7833.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irlr_u7833.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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