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Datasheet下载- 型号： BUK768R3-60E,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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BUK768R3-60E,118产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK768R3-60E,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK768R3-60E,118价格参考。NXP SemiconductorsBUK768R3-60E,118封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 75A（Tc） 137W（Tc） D2PAK。您可以下载BUK768R3-60E,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK768R3-60E,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 BUK768R3-60E,118 是一款功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于单N沟道MOSFET，具有低导通电阻和高效率的特点。该器件主要适用于需要高效能和高可靠性的电源管理与功率控制应用。 典型应用场景包括： 1. 电源转换器：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等，用于提高能量转换效率。 2. 电机控制：用于电动工具、家用电器或工业自动化中的电机驱动电路。 3. 负载开关：作为高效电子开关控制高功率负载，如LED照明、加热元件等。 4. 电池管理系统：在电动车、储能系统或便携设备中用于电池充放电管理。 5. 工业自动化设备：用于PLC、继电器替代方案及工业控制模块中。 6. 汽车电子：适用于车载电源系统、车身控制模块等对可靠性要求高的场景。 该MOSFET采用TSON封装，具备良好的热性能和空间效率，适合高密度PCB设计。其60V耐压和低导通电阻（Rds(on)）特性，使其在中高功率应用中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | BUK768R3-60E,118 |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2920pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 43.1nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.3 毫欧 @ 20A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-9887-1 |
| 功率-最大值 | 137W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 75A （Tc） |
