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Datasheet下载- 型号： IRLR3110ZPBF
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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IRLR3110ZPBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR3110ZPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR3110ZPBF价格参考￥询价-￥询价。International RectifierIRLR3110ZPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 42A（Tc） 140W（Tc） D-Pak。您可以下载IRLR3110ZPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLR3110ZPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的IRLR3110ZPBF是一款晶体管 - FET，MOSFET - 单类型的产品。其应用场景广泛，适用于多种电子设备和系统中，主要体现在以下几个方面： 1. 电源管理：该MOSFET常用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器（DC-DC converters）和电压调节模块（VRMs）。由于其低导通电阻（Rds(on)），能够有效减少功率损耗，提高效率。 2. 电机控制：在小型电机驱动应用中，如无人机、机器人、家用电器等，IRLR3110ZPBF可用于实现高效、可靠的电机控制。它支持脉宽调制（PWM）技术，可精确控制电机速度和扭矩。 3. 负载开关：在便携式电子设备中，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑，该器件可用作负载开关，快速切换电路的开启和关闭状态，从而降低功耗并保护电路。 4. 电池管理系统（BMS）：在电动车、电动工具及储能系统的电池管理中，该MOSFET可以实现电池充放电保护、电流检测等功能，确保电池的安全和稳定运行。 5. 信号切换：在通信设备和工业自动化领域，IRLR3110ZPBF可以用作高速信号切换元件，提供低延迟和高可靠性的信号传输。 6. 逆变器和变频器：在太阳能逆变器和工业变频器中，该MOSFET有助于实现高效的能源转换和频率调节，适应各种负载需求。 总之，IRLR3110ZPBF凭借其优异的电气性能和可靠性，成为众多电力电子应用的理想选择，特别适合需要高效能、低功耗和紧凑设计的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 42A DPAKMOSFET 100V HEXFET 14mOhms 15nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 63 A |
| Id-连续漏极电流 | 63 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLR3110ZPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLR3110ZPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 140 W |
| Pd-功率耗散 | 140 W |
| Qg-GateCharge | 34 nC |
| Qg-栅极电荷 | 34 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 16 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 16 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| 上升时间 | 110 ns |
| 下降时间 | 48 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3980pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 48nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14 毫欧 @ 38A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 典型关闭延迟时间 | 33 ns |
| 功率-最大值 | 140W |
| 功率耗散 | 140 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 16 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 34 nC |
| 标准包装 | 75 |
| 正向跨导-最小值 | 52 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 63 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 42A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irlr_u3110zpbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irlr_u3110zpbf.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 16 V |
