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SI3469DV-T1-E3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3469DV-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3469DV-T1-E3价格参考。VishaySI3469DV-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 5A(Ta) 1.14W(Ta) 6-TSOP。您可以下载SI3469DV-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI3469DV-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI3469DV-T1-E3是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于低电压、高效能的电力电子领域。以下是其典型应用场景: 1. 电源管理 - DC-DC转换器:用于降压或升压电路中的开关元件,实现高效的电压转换。 - 负载开关:在便携式设备中作为负载开关,控制电路的通断,降低待机功耗。 - 电池管理系统:适用于锂电池保护电路,防止过充、过放或短路。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制:用于驱动小型风扇、泵或其他低功率直流电机。 - H桥电路:在双向电机控制中作为开关元件,支持正反转功能。 3. 消费类电子产品 - 智能手机和平板电脑:用作电源管理单元中的开关,优化电池寿命。 - USB充电器和适配器:在快充方案中提供高效的功率传输。 - 音频设备:用于低噪声放大器的供电路径控制。 4. 通信设备 - 基站和路由器:在电源模块中实现高效的能量转换。 - 信号切换:用于高频信号的切换,保持低导通电阻和快速开关速度。 5. 汽车电子 - 车载信息娱乐系统:用于音频放大器和其他子系统的电源管理。 - LED照明:控制车内外LED灯的亮度和开关。 - 传感器接口:为各种传感器提供稳定的电源供应。 特性优势 - 低导通电阻(Rds(on)):减少功率损耗,提高效率。 - 高开关速度:适合高频应用,降低开关损耗。 - 小封装尺寸(如DFN封装):节省PCB空间,适合紧凑设计。 - 优异的热性能:确保在高电流条件下稳定运行。 综上所述,SI3469DV-T1-E3因其高效、可靠和紧凑的设计,广泛应用于各类低电压、高效率的电力电子场景中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOPMOSFET 20V 6.7A 0.03Ohm |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5 A |
| Id-连续漏极电流 | 5 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI3469DV-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI3469DV-T1-E3SI3469DV-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.14 W |
| Pd-功率耗散 | 1.14 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 30 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 30 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 30 毫欧 @ 6.7A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | SI3469DV-T1-E3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 50 ns |
| 功率-最大值 | 1.14W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) |
| 封装/箱体 | TSOP-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5A (Ta) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI3469DV-E3 |