ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FQD7N30TM
Datasheet下载- 型号： FQD7N30TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
FQD7N30TM产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD7N30TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD7N30TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQD7N30TM封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 300V 5.5A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak。您可以下载FQD7N30TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD7N30TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD7N30TM是由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款N沟道增强型MOSFET，其主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 开关电源（SMPS）：FQD7N30TM具有30V的耐压能力，适用于各种开关电源电路中的高频开关应用。它可以在DC-DC转换器、降压或升压稳压器中作为主开关管使用。 2. 电机驱动：该MOSFET可以用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，提供高效的开关控制和低导通电阻（Rds(on)），从而减少功耗并提高效率。 3. 负载切换：在需要快速切换负载的应用中，例如USB充电器、电池管理系统（BMS）等，FQD7N30TM能够实现低损耗的电流切换，确保系统稳定运行。 4. 电源管理：这款MOSFET适合用作电子设备中的电源管理组件，如笔记本电脑、平板电脑或其他便携式设备中的电源路径管理。 5. 保护电路：由于其较低的导通电阻和良好的热性能，FQD7N30TM可用于过流保护、短路保护等电路设计中，以增强系统的安全性和可靠性。 6. 音频放大器：在一些低功率音频放大器中，该器件可以用作输出级开关，提供清晰的声音输出同时保持高效能。 7. LED驱动：对于高亮度LED照明应用，FQD7N30TM能够精确调节电流，确保LED亮度一致且能耗最低。 总之，FQD7N30TM凭借其出色的电气特性和紧凑的封装形式，广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域，为各种需要高效开关和低功耗解决方案的设计提供了理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAKMOSFET 300V N-Channel QFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 5.5 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQD7N30TMQFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQD7N30TM |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 700 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 700 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 300 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 300 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 75 ns |
| 下降时间 | 35 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 610pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 700 毫欧 @ 2.75A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | FQD7N30TMDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 700 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 4 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 300 V |
| 漏极连续电流 | 5.5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 300V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.5A （Tc） |
| 系列 | FQD7N30 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FQD7N30TM_NL |
