Datasheet下载- 型号： DMN2990UFA-7B
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN2990UFA-7B由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN2990UFA-7B价格参考￥0.59-￥0.59。Diodes Inc.DMN2990UFA-7B封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DMN2990UFA-7B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN2990UFA-7B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMN2990UFA-7B是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，其主要应用场景包括： 1. 电源管理：该器件适用于各种电源管理应用，例如DC-DC转换器、负载开关和LDO稳压器。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于提高效率并减少功率损耗。 2. 便携式设备：由于其小尺寸（采用微型SOT封装）和低功耗特点，DMN2990UFA-7B非常适合用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式电子设备中的电源开关和保护电路。 3. 电机驱动：可以用于小型直流电机驱动电路中作为开关元件，控制电机的启动、停止和速度调节。 4. 信号切换：在需要高频信号切换的应用中，如音频信号切换或数据线路切换，该MOSFET能够提供快速的开关速度和较低的信号失真。 5. 电池保护：在电池管理系统中，这款MOSFET可以用作电池充放电路径上的保护开关，防止过流、短路等情况发生。 6. 背光驱动：在LED背光驱动电路中，DMN2990UFA-7B可以用作电流控制开关，确保LED阵列获得稳定的电流供应。 总之，DMN2990UFA-7B凭借其出色的电气性能和紧凑的设计，广泛应用于消费类电子产品、通信设备以及工业自动化等领域中的各种低电压、高效率开关和驱动任务。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N CH 20V 510MAMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN0806-3 T&R 10K |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 510 mA |
| Id-连续漏极电流 | 510 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN2990UFA-7B- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMN2990UFA-7B |
| Pd-PowerDissipation | 400 mW |
| Pd-功率耗散 | 400 mW |
| Qg-GateCharge | 0.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 0.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 990 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 990 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1 V |
| 上升时间 | 3.3 ns |
| 下降时间 | 6.4 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 27.6pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 990 毫欧 @ 100mA，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 3-X2-DFN0806 |
| 其它名称 | DMN2990UFA-7BDICT |
| 典型关闭延迟时间 | 19 ns |
| 功率-最大值 | 400mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 封装/箱体 | X2-DFN0806-3 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 180 mS |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 510mA （Ta） |
| 系列 | DMN2990 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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