Datasheet下载- 型号： SI1025X-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1025X-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1025X-T1-E3价格参考。VishaySI1025X-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI1025X-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI1025X-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI1025X-T1-E3 是一款双N沟道增强型MOSFET阵列器件，常用于需要高效开关和功率控制的电子电路中。该器件采用小型封装，适合空间受限的设计，具有低导通电阻和高开关速度的特点，有助于提高系统效率并减少功率损耗。 SI1025X-T1-E3 的主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统中，实现高效的电能分配和控制。 2. 电机控制：在小型电机或步进电机驱动电路中作为开关元件，提供快速响应和稳定性能。 3. 负载开关：用于控制电源供应，如在便携式设备中实现不同模块的电源隔离与开启。 4. LED驱动：用于调节和开关LED背光或照明系统，支持亮度调节和节能功能。 5. 通信设备：用于电信和网络设备中的信号开关或电源控制，提升系统可靠性和效率。 6. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的功率管理模块。 该MOSFET阵列因其集成度高、封装紧凑、性能稳定，广泛适用于中低功率应用领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 60V 190MA SOT563F |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI1025X-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 23pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.7nC @ 15V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4 欧姆 @ 500mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-89-6 |
| 其它名称 | SI1025X-T1-E3DKR |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 190mA |
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