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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FMBA56由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FMBA56价格参考。Fairchild SemiconductorFMBA56封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FMBA56参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FMBA56 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FMBA56 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款双极型晶体管(BJT),主要用于需要高频率和高增益特性的应用场景。该晶体管具有良好的高频响应和较低的噪声系数,适合用于射频(RF)和中频(IF)放大电路。 其主要应用场景包括: 1. 射频放大器:在无线通信系统中,如基站、无线接入设备中,用于信号的前级放大,提高接收灵敏度。 2. 中频放大器:在调谐器、接收机中作为中频信号放大使用,具有良好的增益和稳定性。 3. 低噪声放大(LNA):适用于需要低噪声性能的前端信号处理电路,如卫星接收器、雷达系统等。 4. 消费类电子产品:如电视调谐器、机顶盒等设备中的信号处理模块。 5. 工业控制与通信设备:用于各类工业通信模块、数据传输设备中的信号增强与处理。 FMBA56 采用SOT-23封装,体积小、便于贴装,适用于高密度PCB设计。由于其良好的高频性能和可靠性,广泛应用于高频模拟电路设计中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANSISTOR PNP 80V 500MA SSOT-6两极晶体管 - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 过渡期间无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor FMBA56- |
数据手册 | |
产品型号 | FMBA56 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 10mA,100mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 100mA,1V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | 6-SSOT |
其它名称 | FMBA56CT |
功率-最大值 | 700mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
单位重量 | 36 mg |
发射极-基极电压VEBO | 4 V |
商标 | Fairchild Semiconductor |
增益带宽产品fT | 50 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
封装/箱体 | SSOT-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP |
最大功率耗散 | 0.7 W |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 80V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
电流-集电极截止(最大值) | 100nA |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
系列 | FMBA56 |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 80 V |
集电极—基极电压VCBO | 80 V |
集电极—射极饱和电压 | 0.25 V |
集电极连续电流 | 0.5 A |
频率-跃迁 | 50MHz |