Datasheet下载- 型号： PBSS8110Z,135
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS8110Z,135由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS8110Z,135价格参考。NXP SemiconductorsPBSS8110Z,135封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PBSS8110Z,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBSS8110Z,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的型号 PBSS8110Z,135 是一款双极性晶体管（BJT），属于单晶体管类型，广泛应用于各类电子电路中。其主要应用场景包括： 1. 开关电路：该晶体管适用于中低功率的开关应用，如电源管理、负载开关和继电器驱动电路，能够高效控制电流的导通与关断。 2. 放大电路：在模拟信号放大器中，PBSS8110Z 可用于音频放大或信号调理电路，提供稳定的电流增益。 3. 电机驱动：常用于小型电机、风扇或泵的驱动电路中，作为功率控制元件。 4. 汽车电子系统：由于其良好的稳定性和可靠性，适用于汽车中的电子控制模块，如车窗控制、灯光控制等。 5. 工业自动化：在PLC（可编程逻辑控制器）和传感器接口电路中，作为信号处理或驱动元件使用。 6. 消费类电子产品：如智能家电、充电器、LED驱动电路等，用于实现电路控制与调节功能。 该晶体管采用SOT223封装，具备良好的热稳定性和较高的电流承载能力，适合表面贴装工艺，适用于大批量自动化生产。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 100V 1A SOT223两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-13 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS8110Z,135- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBSS8110Z,135 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 200mV @ 100mA，1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 150 @ 250mA，10V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SC-73 |
| 其它名称 | 568-6808-6 |
| 功率-最大值 | 1.4W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SC-73 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 1400 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 1 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 100V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 150 at 1 mA at 10 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 150 at 1 mA at 10 V, 150 at 250 mA at 10 V, 100 at 0.5 A at 10 V, 80 at 1 A at 10 V |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 100 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 120 V |
| 零件号别名 | /T3 PBSS8110Z |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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