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  • 型号: PBSS8110Z,135
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS8110Z,135由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS8110Z,135价格参考。NXP SemiconductorsPBSS8110Z,135封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PBSS8110Z,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBSS8110Z,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PBSS8110Z,135 是 Nexperia 推出的 NPN 型双极结型晶体管(BJT),具有高增益(hFE 典型值达 400@Ic=100mA)、低饱和压降(VCE(sat) 低至 120mV@Ic=100mA)、高开关速度及 SOT23 小型表面贴装封装。其典型应用场景包括:

- 中小功率开关电路:广泛用于电源管理中的负载开关、LED 驱动控制、继电器/蜂鸣器驱动等,凭借低饱和压降和快速响应,提升能效与可靠性;  
- 信号放大与电平转换:适用于消费电子(如手机、TWS耳机、IoT设备)中的小信号放大、逻辑电平适配或MCU GPIO 扩展驱动;  
- 电池供电设备:因低待机电流(ICBO < 10nA)和高电流增益,适合便携式设备中对功耗敏感的传感信号调理或唤醒电路;  
- 工业控制接口:在PLC模块、传感器接口板中用作隔离式数字输出级,驱动指示灯、小型电磁阀或光耦输入端。

该器件通过 AEC-Q101 认证,具备车规级可靠性,亦可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块等对温度稳定性(-65°C 至 +150°C)和抗扰性要求较高的场景。综合其性能与封装优势,PBSS8110Z,135 是替代传统通用BJT(如BC817)的优选方案,兼顾成本、尺寸与性能。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS NPN 100V 1A SOT223两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-13

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS8110Z,135-

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产品型号

PBSS8110Z,135

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

200mV @ 100mA,1A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

150 @ 250mA,10V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SC-73

其它名称

568-6808-6

功率-最大值

1.4W

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

NXP Semiconductors

增益带宽产品fT

100 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

封装/箱体

SC-73

工厂包装数量

4000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

1400 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

1 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html

电压-集射极击穿(最大值)

100V

电流-集电极(Ic)(最大值)

1A

电流-集电极截止(最大值)

100nA

直流电流增益hFE最大值

150 at 1 mA at 10 V

直流集电极/BaseGainhfeMin

150 at 1 mA at 10 V, 150 at 250 mA at 10 V, 100 at 0.5 A at 10 V, 80 at 1 A at 10 V

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

100 V

集电极—基极电压VCBO

120 V

零件号别名

/T3 PBSS8110Z

频率-跃迁

100MHz

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