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Datasheet下载- 型号： 2SD2012
- 制造商： STMicroelectronics
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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2SD2012产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SD2012由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SD2012价格参考。STMicroelectronics2SD2012封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 60V 3A 3MHz 25W 通孔 TO-220F。您可以下载2SD2012参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SD2012 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics 的 2SD2012 是一款双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类型。它具有高增益、低噪声和宽频率响应等特性，适用于多种电子电路设计。以下是其主要应用场景： 1. 音频放大器：2SD2012 可用于构建高性能的音频前置放大器或功率放大器。其低噪声特性和高增益能够确保音频信号在传输过程中保持清晰和稳定，适用于音响设备、耳机放大器等。 2. 射频（RF）应用：由于其宽频率响应特性，2SD2012 在射频电路中也有广泛应用。例如，在无线通信设备、收发模块、调谐器等中，它可以作为高频信号的放大或开关元件，帮助提高信号的传输效率和稳定性。 3. 传感器信号调理：在传感器信号处理电路中，2SD2012 可用于放大微弱的传感器输出信号。例如，在温度传感器、压力传感器等应用中，它可以将传感器产生的微小电压变化放大到可检测的水平，从而提高系统的灵敏度和精度。 4. 电源管理：2SD2012 还可以用于电源管理电路中的电流控制和调节。例如，在线性稳压器、DC-DC转换器等电路中，它可以用作开关或电流放大元件，帮助实现高效的电源管理和稳定的输出电压。 5. 工业自动化：在工业控制系统中，2SD2012 可以用于驱动继电器、电机等负载。其高增益特性使得它能够在较低的输入电流下提供较大的输出电流，从而有效控制各种执行机构的动作。 总之，2SD2012 晶体管凭借其优异的电气性能和广泛的适用性，成为众多电子设备和系统中的关键元件，特别是在需要高增益、低噪声和宽频带特性的应用场景中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 60V 3A TO-220F两极晶体管 - BJT NPN Silcon Pwr Trans |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,STMicroelectronics 2SD2012- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SD2012 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1V @ 200mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 500mA，5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 其它名称 | 497-5900-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL822/SC84/PF75022?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 25W |
| 包装 | 管件 |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 增益带宽产品fT | 3 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220F |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 25 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 3 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 3A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 320 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 20 |
| 系列 | 2SD2012 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 60 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.4 V |
| 频率-跃迁 | 3MHz |
