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  • 型号: PBSS4032PX,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PBSS4032PX,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS4032PX,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS4032PX,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS4032PX,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 30V 4.2A 115MHz 2.5W 表面贴装 SOT-89。您可以下载PBSS4032PX,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBSS4032PX,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PBSS4032PX,115 是 NXP USA Inc. 推出的 NPN 型双极结型晶体管(BJT),采用 SOT1215(DFN2020-6)小型无引线封装,具有高增益(hFE 典型值 380@Ic=500mA)、低饱和压降(VCE(sat) 低至 0.17V@Ic=500mA)及高集电极电流能力(IC = 3.2A,脉冲可达 6.4A)。其主要应用场景包括:

- 中功率开关应用:广泛用于DC-DC转换器(如同步整流驱动、负载开关)、LED驱动电路、电机控制(如小功率直流风扇/泵的PWM驱动)等需高效通断的场合;  
- 电源管理模块:作为线性稳压器的调整管、电池保护电路中的充放电控制开关或电子保险丝(eFuse)中的主开关元件;  
- 工业与消费类接口电路:用于微控制器(MCU)GPIO 扩展驱动,控制继电器、电磁阀、蜂鸣器等中等负载;  
- 汽车电子(AEC-Q101认证):适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块(BCM)中的灯光控制、传感器信号调理及辅助电源开关等严苛环境。

该器件具备高可靠性、小尺寸和良好热性能,特别适合空间受限且需兼顾效率与成本的中等电流(≤3A)开关场景。不适用于高频放大或大功率线性放大应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PNP 30V 4.2A SOT89两极晶体管 - BJT Single PNP -30V -4.2A 600mW 115MHz

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS4032PX,115-

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产品型号

PBSS4032PX,115

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

400mV @ 200mA,4A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

150 @ 2A,2V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-89-3

其它名称

568-6397-6

功率-最大值

2.5W

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

- 5 V

商标

NXP Semiconductors

增益带宽产品fT

115 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-243AA

封装/箱体

SOT-89

工厂包装数量

1000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

600 mW

标准包装

1

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html

电压-集射极击穿(最大值)

30V

电流-集电极(Ic)(最大值)

4.2A

电流-集电极截止(最大值)

100nA

直流集电极/BaseGainhfeMin

200

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

- 30 V

集电极连续电流

- 4.2 A

频率-跃迁

115MHz

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