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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2N4919G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N4919G价格参考。ON Semiconductor2N4919G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2N4919G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N4919G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2N4919G是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款PNP型双极结型晶体管(BJT),常用于中功率放大和开关应用。该晶体管具有良好的稳定性和可靠性,适用于多种电子电路设计。 主要应用场景包括: 1. 功率放大电路:2N4919G可应用于音频放大器和射频(RF)放大器中,作为驱动级或输出级,提供较高的电流增益和频率响应。 2. 开关电路:由于其较高的集电极电流容量和较快的开关特性,适用于DC-DC转换器、继电器驱动、马达控制等开关电源和功率控制场合。 3. 稳压电源:在稳压电源电路中,该器件可用作调整管,协助实现电压调节功能,具有较好的线性调节性能。 4. 工业控制:在工业自动化系统中,用于信号放大、继电器或执行器的驱动,提高系统响应速度与稳定性。 5. 消费类电子产品:如电视、音响设备、充电器等产品中,用于电源管理和信号处理电路。 该晶体管采用TO-92封装,便于散热和安装,适合通孔焊接,在中低功率应用中具有较高的性价比和可靠性。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS PNP 60V BIPOLAR TO-225AA两极晶体管 - BJT 3A 60V 30W PNP |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2N4919G- |
数据手册 | |
产品型号 | 2N4919G |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 600mV @ 100mA,1A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 30 @ 500mA,1V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | TO-225AA |
其它名称 | 2N4919G-ND |
功率-最大值 | 30W |
包装 | 散装 |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | ON Semiconductor |
增益带宽产品fT | 3 MHz |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Bulk |
封装/外壳 | TO-225AA,TO-126-3 |
封装/箱体 | TO-225-3 |
工厂包装数量 | 500 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP |
最大功率耗散 | 30 W |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 3 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 500 |
电压-集射极击穿(最大值) | 60V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 1A |
电流-集电极截止(最大值) | 500µA |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 40 |
系列 | 2N4919 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 60 V |
集电极—基极电压VCBO | 60 V |
集电极—射极饱和电压 | 0.6 V |
集电极连续电流 | 3 A |
频率-跃迁 | 3MHz |