Datasheet下载- 型号： FJD5304DTF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJD5304DTF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJD5304DTF价格参考。Fairchild SemiconductorFJD5304DTF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJD5304DTF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJD5304DTF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJD5304DTF 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类别。该型号的应用场景主要集中在需要高效开关和信号放大的领域，以下是其具体应用场景： 1. 电源管理： FJD5304DTF 可用于各种电源管理电路中，例如 DC-DC 转换器、线性稳压器或负载开关。其出色的电流处理能力和低饱和电压特性使其适合在这些应用中实现高效的功率传输。 2. 电机驱动： 在小型直流电机或步进电机的驱动电路中，该晶体管可以用作开关元件。通过控制基极电流，可以精确调节电机的速度和方向。 3. 信号放大： 由于其高增益特性，FJD5304DTF 能够在音频设备或其他需要信号放大的场景中发挥作用，比如麦克风前置放大器或低频信号增强器。 4. 继电器驱动： 在需要控制机械继电器通断的应用中，这款晶体管可以作为驱动元件，将微控制器的弱电信号转换为能够驱动继电器的强大电流。 5. LED 驱动： 对于大功率 LED 的亮度调节或开关控制，FJD5304DTF 提供了稳定且可靠的性能，适用于照明系统或显示面板。 6. 通信设备： 在某些低频通信电路中，该晶体管可用于调制解调、信号耦合或阻抗匹配等功能。 7. 家电与消费电子： 在家用电器（如风扇、冰箱压缩机）或消费电子产品（如打印机、扫描仪）中，FJD5304DTF 可用作关键的开关或控制元件。 总之，FJD5304DTF 凭借其优异的电气参数和可靠性，广泛应用于工业、汽车、消费类电子产品以及通信设备等领域，满足多样化的需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS SWITCHING FAST HV DPAK两极晶体管 - BJT High Voltage Fast SWITCHING TRANSISTOR |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor FJD5304DTF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FJD5304DTF |
| PCN封装 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1.5V @ 500mA，2.5A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 8 @ 2A，5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | FJD5304DTFCT |
| 功率-最大值 | 30W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 发射极-基极电压VEBO | 12 V |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 30000 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 4 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 400V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 4A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100µA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 10 |
| 系列 | FJD5304 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 400 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 700 V |
| 频率-跃迁 | - |
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