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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ZTX849由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZTX849价格参考。Diodes Inc.ZTX849封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ZTX849参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZTX849 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的ZTX849是一款双极性晶体管(BJT),常用于需要高电流和高增益的电路中。该晶体管具有较高的集电极电流能力,适合用于功率开关和放大电路。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:ZTX849可用于DC-DC转换器和稳压电路中,作为开关元件,提高电源转换效率。 2. 电机驱动:在小型电机或步进电机控制电路中,作为驱动晶体管使用,控制电机的启停和转速。 3. 继电器驱动:用于控制继电器的通断,起到隔离和放大控制信号的作用。 4. LED照明:在大功率LED驱动电路中,作为电流控制元件,实现LED的亮度调节。 5. 工业自动化:在PLC(可编程逻辑控制器)和工业控制设备中,用于信号放大和开关控制。 该晶体管采用TO-220或类似功率封装,具备良好的散热性能,适用于中等功率应用场景。设计时需注意其最大工作电流、电压和功耗限制,以确保稳定性和寿命。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANSISTOR NPN 30V 5000MA E-LINE两极晶体管 - BJT NPN Big Chip SELine |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated ZTX849- |
数据手册 | |
产品型号 | ZTX849 |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 220mV @ 200mA,5A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 1A,1V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | E-Line(TO-92 兼容) |
功率-最大值 | 1.2W |
包装 | 散装 |
发射极-基极电压VEBO | 6 V |
商标 | Diodes Incorporated |
增益带宽产品fT | 100 MHz |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Bulk |
封装/外壳 | E-Line-3 |
封装/箱体 | TO-92 |
工厂包装数量 | 4000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 1.2 W |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 5 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 4,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 30V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 5A |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 100 at 10 mA at 1 V |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 at 10 mA at 1 V, 100 at 1 A at 1 V, 100 at 5 A at 1 V, 30 at 20 A at 1 V |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 30 V |
集电极—基极电压VCBO | 80 V |
集电极—射极饱和电压 | 180 mV |
集电极连续电流 | 5 A |
频率-跃迁 | 100MHz |