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  • 型号: ZTX849
  • 制造商: Diodes Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供ZTX849由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZTX849价格参考。Diodes Inc.ZTX849封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ZTX849参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZTX849 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANSISTOR NPN 30V 5000MA E-LINE两极晶体管 - BJT NPN Big Chip SELine

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

Diodes Incorporated

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated ZTX849-

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产品型号

ZTX849

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

220mV @ 200mA,5A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 1A,1V

产品目录绘图

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

E-Line(TO-92 兼容)

功率-最大值

1.2W

包装

散装

发射极-基极电压VEBO

6 V

商标

Diodes Incorporated

增益带宽产品fT

100 MHz

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Bulk

封装/外壳

E-Line-3

封装/箱体

TO-92

工厂包装数量

4000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

1.2 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

5 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

4,000

电压-集射极击穿(最大值)

30V

电流-集电极(Ic)(最大值)

5A

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

100 at 10 mA at 1 V

直流集电极/BaseGainhfeMin

100 at 10 mA at 1 V, 100 at 1 A at 1 V, 100 at 5 A at 1 V, 30 at 20 A at 1 V

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

30 V

集电极—基极电压VCBO

80 V

集电极—射极饱和电压

180 mV

集电极连续电流

5 A

频率-跃迁

100MHz

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