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详细数据请看参考数据手册
- 型号： 2N6111G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N6111G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N6111G价格参考。ON Semiconductor2N6111G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2N6111G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N6111G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的2N6111G是一款NPN型双极结型晶体管（BJT），属于通用放大和开关应用的中功率晶体管。其主要应用场景包括： 1. 模拟信号放大：2N6111G具有良好的电流增益（hFE）特性，适用于音频放大器、前置放大电路及小信号放大场合，常用于消费类电子设备中的模拟信号处理。 2. 开关电路：该器件可作为电子开关使用，广泛应用于电源控制、继电器驱动、LED驱动和电机控制等数字或脉冲电路中，实现对负载的通断控制。 3. 电源管理：在稳压电源、DC-DC转换器和过流保护电路中，2N6111G可用于电流调节和反馈控制，提升系统稳定性与效率。 4. 工业与汽车电子：由于具备一定的耐压和电流能力（VCEO=75V，IC=1A），且通过AEC-Q101认证（后缀G表示符合汽车级标准），该型号适用于汽车电子模块如灯光控制、传感器接口及车载电源系统。 5. 消费类电子产品：常见于家用电器控制板、充电器、适配器等需要中低频开关或信号放大的场景。 2N6111G采用TO-92封装，体积小、成本低、可靠性高，适合自动化装配，广泛用于对空间和成本敏感的批量产品中。其工作温度范围宽（-55°C 至 +150°C），适应严苛环境，是工业、汽车及通用电子设计中的常用器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP PWR GP 7A 30V TO220AB两极晶体管 - BJT 7A 30V 40W PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2N6111G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2N6111G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 3.5V @ 3A，7A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 3A，4V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 2N6111GOS |
| 功率-最大值 | 40W |
| 包装 | 管件 |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 10 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 40 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 7 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 30V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 7A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1mA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 30 |
| 系列 | 2N6111 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 30 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 40 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 3.5 V |
| 集电极连续电流 | 7 A |
| 频率-跃迁 | 10MHz |
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