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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NSS35200MR6T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSS35200MR6T1G价格参考。ON SemiconductorNSS35200MR6T1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NSS35200MR6T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSS35200MR6T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(现为安森美半导体)的NSS35200MR6T1G是一款双极性晶体管(BJT),属于“晶体管 - 双极 (BJT) - 单”类别。该型号的应用场景主要包括以下方面: 1. 开关应用: NSS35200MR6T1G适合用于低功率和中等功率的开关电路,例如继电器驱动、LED驱动和小型电机控制。其设计能够快速切换状态,确保高效运行。 2. 信号放大: 作为BJT晶体管,该型号可以用于音频放大器和其他需要信号放大的电路中。它能够增强微弱信号的强度,适用于消费电子设备中的音频处理部分。 3. 电源管理: 在直流-直流转换器或稳压器电路中,该晶体管可以用作开关元件来调节输出电压,从而实现高效的电源管理。 4. 保护电路: 它可用于过流保护、短路保护等安全相关的电路设计中,通过限制电流流动来防止系统损坏。 5. 工业自动化: 在工业控制领域,这款晶体管可应用于传感器接口、执行器驱动以及其他需要精确电流控制的场合。 6. 通信设备: 由于其良好的频率特性和稳定性,NSS35200MR6T1G也可以用在一些通信模块中的信号调制与解调电路里。 总之,NSS35200MR6T1G凭借其性能参数和可靠性,在多种电子设备和系统中发挥重要作用,特别是在需要高性能开关和信号放大的场景下表现尤为突出。具体使用时需根据实际需求选择合适的外围电路配置以达到最佳效果。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANSISTOR PNP 2A 35V TSOP-6两极晶体管 - BJT 2A 35V Low VCEsat |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor NSS35200MR6T1G- |
数据手册 | |
产品型号 | NSS35200MR6T1G |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 310mV @ 20mA,2A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 1.5A,1.5V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=18613 |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | 6-TSOP |
其它名称 | NSS35200MR6T1G-ND |
功率-最大值 | 625mW |
包装 | 带卷 (TR) |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | ON Semiconductor |
增益带宽产品fT | 100 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
封装/箱体 | TSOP-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP |
最大功率耗散 | 625 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 2 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 35V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 2A |
电流-集电极截止(最大值) | 100nA |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
系列 | NSS35200MR6T1G |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | - 35 V |
集电极—基极电压VCBO | - 55 V |
集电极—射极饱和电压 | - 0.26 V |
集电极连续电流 | - 2 A |
频率-跃迁 | 100MHz |