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详细数据请看参考数据手册
- 型号： APT29F100L
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供APT29F100L由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 APT29F100L价格参考。American Microsemiconductor, Inc.APT29F100L封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载APT29F100L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有APT29F100L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
APT29F100L是由Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下）生产的一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于单N沟道功率MOSFET器件。该型号主要应用于高可靠性及工业级电源管理系统中。 其典型应用场景包括：开关电源（SMPS）、直流-直流（DC-DC）转换器、电机驱动电路、逆变器以及不间断电源（UPS）系统。由于其具备高耐压（100V）、低导通电阻和优良的热稳定性，APT29F100L特别适用于需要高效能和高稳定性的工业控制设备与电源模块中。 此外，该器件也常用于电信设备电源管理、电池管理系统（BMS）以及各类工业自动化装置中的功率开关环节。其坚固的设计和可靠的性能使其在高温、高负载等严苛工作环境下仍能保持稳定运行，因此也适合航空航天、军事电子等对元器件可靠性要求极高的领域。 综上所述，APT29F100L凭借其优异的电气特性与高可靠性，广泛应用于工业电源、通信设备及高端控制系统中的功率切换与能量管理场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 1000V 30A TO264 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Microsemi Power Products Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/6820-apt29f100b2-l-d-pdf |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | APT29F100L |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 2.5mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8500pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 260nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 460 毫欧 @ 16A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | TO-264 |
| 其它名称 | APT29F100LMI |
| 功率-最大值 | 1040W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-264-3，TO-264AA |
| 标准包装 | 25 |
| 漏源极电压(Vdss) | 1000V（1kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 30A （Tc） |
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