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Datasheet下载- 型号： STP32NM50N
- 制造商： STMicroelectronics
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STP32NM50N产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STP32NM50N由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP32NM50N价格参考￥19.01-￥19.01。STMicroelectronicsSTP32NM50N封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 500V 22A（Tc） 190W（Tc） TO-220。您可以下载STP32NM50N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STP32NM50N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）的型号为 STP32NM50N 的MOSFET，属于N沟道功率MOSFET器件。该器件具有较高的耐压和导通电流能力，适用于多种功率电子应用。 主要应用场景包括： 1. 电源管理与DC-DC转换器： 用于开关电源、同步整流、电压调节模块（VRM）等，实现高效能的能量转换。 2. 电机驱动系统： 在直流电机控制、步进电机驱动或伺服系统中作为开关元件，提供快速响应和低导通损耗。 3. 工业自动化设备： 如PLC（可编程逻辑控制器）、工业逆变器、继电器替代方案等，适用于需要高可靠性和高效率的工业环境。 4. 汽车电子系统： 可用于车载充电系统、电池管理系统（BMS）、电动助力转向系统等，满足车用环境对稳定性和耐用性的要求。 5. 照明系统： 在LED路灯、工业照明或大功率照明设备中作为调光或开关控制元件。 6. 消费类电子产品： 如大功率适配器、不间断电源（UPS）或智能家电中的功率控制部分。 该MOSFET具备低导通电阻（Rds(on)）、高工作电压（500V）和较大电流承载能力（典型值32A），适合高频开关应用，有助于提升整体系统效率并减少散热设计复杂度。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N CH 500V 22A TO-220MOSFET N-Ch 500V 0.1 Ohm 22A MDmesh II FET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 13.86 A |
| Id-连续漏极电流 | 13.86 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP32NM50NMDmesh™ II |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STP32NM50N |
| Pd-PowerDissipation | 190 W |
| Pd-功率耗散 | 190 W |
| Qg-GateCharge | 62.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 62.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 130 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 130 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 9.5 ns |
| 下降时间 | 23.6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1973pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 62.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 130 毫欧 @ 11A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 其它名称 | 497-13274-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF254000?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 110 ns |
| 功率-最大值 | 190W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 22A （Tc） |
| 系列 | STP32NM50N |
| 配置 | Single |
