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Datasheet下载- 型号： IRFI4110GPBF
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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IRFI4110GPBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFI4110GPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFI4110GPBF价格参考。International RectifierIRFI4110GPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 100V 72A（Tc） 61W（Tc） TO-220AB 整包。您可以下载IRFI4110GPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFI4110GPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFI4110GPBF是由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的一款MOSFET晶体管，属于N沟道增强型功率MOSFET。该型号广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场景中，主要应用场景包括： 1. 开关电源 (SMPS)：IRFI4110GPBF适用于各种开关电源设计，如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于降低功耗并提高效率。 2. 电机驱动：在电机控制应用中，该器件可用于驱动直流无刷电机（BLDC）、步进电机或有刷直流电机。它能够承受高电流负载，并支持快速开关操作。 3. 逆变器：用于太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中，实现高效的直流到交流转换。 4. 电池管理系统 (BMS)：在电动汽车、储能系统或便携式设备的电池管理中，作为开关元件用于充放电控制和保护电路。 5. 负载切换：在汽车电子、工业自动化及消费类电子产品中，用作负载切换开关以控制不同负载的通断。 6. PFC电路（功率因数校正）：在需要提升输入功率因数的应用场合，此MOSFET可以用作升压开关的一部分。 7. 音频放大器：某些高性能音频放大器使用此类MOSFET作为输出级开关，提供大电流输出能力。 IRFI4110GPBF的工作电压范围为500V，能够处理高达20A的连续漏极电流，同时具备较低的导通电阻（典型值约0.28Ω），这使其非常适合于中高功率级别的应用。此外，该器件采用TO-220封装形式，便于散热设计和安装，因此非常适合需要良好热管理的环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 72A TO220ABMOSFET MOSFT 9999A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 72 A |
| Id-连续漏极电流 | 72 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFI4110GPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFI4110GPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 61 W |
| Pd-功率耗散 | 61 W |
| Qg-GateCharge | 190 nC |
| Qg-栅极电荷 | 190 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9540pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 290nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.5 毫欧 @ 43A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB 整包 |
| 功率-最大值 | 61W |
| 功率耗散 | 61 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 3.7 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 190 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 72 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 72A （Tc） |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
