Datasheet下载- 型号： ZXT10N50DE6TC
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXT10N50DE6TC由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXT10N50DE6TC价格参考。Diodes Inc.ZXT10N50DE6TC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZXT10N50DE6TC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXT10N50DE6TC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZXT10N50DE6TC是Diodes Incorporated生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，具有10A电流容量和500V耐压。该器件采用SOT-223封装，适用于中高功率开关应用。其主要应用场景包括： 1. 电源转换设备：如AC/DC电源适配器、开关电源（SMPS）中，用于高效能开关操作。 2. 电机驱动电路：适用于小型电机或步进电机的控制，提供高可靠性和快速开关性能。 3. 照明系统：用于LED照明或HID灯的驱动电路中，支持高电压工作环境。 4. 工业自动化设备：在PLC、继电器驱动或工业控制模块中作为高侧或低侧开关。 5. 消费类电子产品：如家电中的功率控制部分，包括电磁炉、电风扇等。 该器件具备低导通电阻、高耐压和良好热性能，适合需要高效能和紧凑设计的场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 50V SOT23-6 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | ZXT10N50DE6TC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 100mA，3A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 2A，2V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-6 |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 3A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 频率-跃迁 | 165MHz |
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