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PBSS4350D,125产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS4350D,125由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS4350D,125价格参考。NXP SemiconductorsPBSS4350D,125封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 50V 3A 100MHz 750mW 表面贴装 6-TSOP。您可以下载PBSS4350D,125参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBSS4350D,125 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBSS4350D,125 是 NXP USA Inc. 推出的 NPN 型双极结型晶体管(BJT),采用 SOT-457(SC-74)小型表面贴装封装,具备高增益(hFE 典型值 300@Ic=100mA)、低饱和压降(VCE(sat) ≈ 130mV@Ic=100mA, Ib=10mA)及 50V VCEO 额定电压、最大连续集电极电流 500mA。其典型应用场景包括: 1. 中小功率开关应用:如电源管理中的负载开关、LED 驱动控制、继电器/蜂鸣器驱动等,得益于低饱和压降和快速开关特性; 2. 信号放大与电平转换:在便携式设备、传感器接口、微控制器 I/O 扩展电路中,用于小信号放大或 3.3V/5V 系统间的逻辑电平适配; 3. 消费电子与工业控制板:广泛应用于打印机、家电主控板、电机驱动前级、电池供电设备等对尺寸、功耗和成本敏感的场景; 4. 替代传统通孔晶体管:SOT-457 封装支持自动化贴片生产,适用于高密度 PCB 设计。 该器件符合 AEC-Q100(Grade 3)可靠性标准,亦可用于部分车规级辅助电路(如车身控制模块中的非安全相关信号处理)。注意:不适用于高频射频或大功率线性放大场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS NPN 50V 3A 6TSOP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PBSS4350D,125 |
| PCN封装 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 290mV @ 200mA,2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 2A,2V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=9367 |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | 568-7300-2 |
| 功率-最大值 | 750mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 3,000 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 3A |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 频率-跃迁 | 100MHz |