Datasheet下载- 型号： FJP2145TU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJP2145TU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJP2145TU价格参考。Fairchild SemiconductorFJP2145TU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJP2145TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJP2145TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJP2145TU 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款NPN型双极结型晶体管（BJT），常用于中功率放大和开关应用。该晶体管具有较高的电流承载能力和良好的热稳定性，适用于需要可靠性和稳定性的电子电路。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理电路：用于DC-DC转换器、稳压电源等电路中，作为开关元件使用，具有较高的效率和稳定性。 2. 电机驱动电路：在小型电机或继电器驱动电路中，FJP2145TU可作为功率开关使用，控制电机的启停与方向。 3. 音频放大器：在低频功率放大电路中，该晶体管可用于音频信号的功率放大，提供清晰的声音输出。 4. 工业控制设备：如PLC（可编程逻辑控制器）、工业自动化设备中，用于信号放大和驱动负载。 5. 汽车电子系统：例如车灯控制、风扇电机驱动等，得益于其良好的耐压和耐温性能，适合汽车环境使用。 6. 消费类电子产品：如电视、音响设备、充电器等，用于电源开关或功率调节模块。 FJP2145TU采用TO-220封装，便于散热和安装，适合中功率应用。其主要参数包括最大集电极电流约10A，最大集电极-发射极电压为100V，适合多种中高功率电子系统设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN ESVC 2A TO-220AB两极晶体管 - BJT ESBC Rated NPN Power Transistor |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor FJP2145TUESBC™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FJP2145TU |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 2V @ 300mA，1.5A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 20 @ 200mA，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 功率-最大值 | 120W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 15 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 120 W |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 800V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 5A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 10µA （ICBO） |
| 直流电流增益hFE最大值 | 40 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 20 |
| 系列 | FJP2145 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 800 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 1100 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.151 V |
| 集电极连续电流 | 5 A |
| 频率-跃迁 | 15MHz |
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