Datasheet下载- 型号： NJW21194G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NJW21194G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NJW21194G价格参考。ON SemiconductorNJW21194G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NJW21194G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NJW21194G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NJW21194G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类型。它是一种高频、高增益的 NPN 晶体管，广泛应用于各种电子电路中。以下是 NJW21194G 的主要应用场景： 1. 信号放大 - NJW21194G 具有较高的电流增益（hFE），适合用于音频和射频信号的放大。 - 常见应用包括音频前置放大器、低噪声放大器（LNA）以及射频信号处理。 2. 开关电路 - 该晶体管可以作为开关元件使用，适用于数字逻辑电平驱动的场景。 - 应用包括继电器驱动、LED 驱动、小型电机控制等。 3. 电源管理 - 在低压差线性稳压器（LDO）或 DC-DC 转换器中，NJW21194G 可用作电流调节或保护元件。 - 它也可用于电池充电电路中的电流检测和控制。 4. 射频和无线通信 - 凭借其高频特性，NJW21194G 可用于射频模块中的混频器、振荡器和调制解调器电路。 - 在无线通信设备中，它可用于信号的放大和调制。 5. 传感器接口 - 在传感器信号调理电路中，NJW21194G 可用于放大微弱的模拟信号。 - 例如，在温度传感器、压力传感器或光电二极管的信号处理中。 6. 音频设备 - 该晶体管适用于便携式音频设备中的功率放大器或缓冲器。 - 可用于耳机放大器、扬声器驱动器等。 7. 工业自动化 - 在工业控制系统中，NJW21194G 可用于信号隔离、放大和驱动。 - 例如，PLC（可编程逻辑控制器）输入输出模块中的信号处理。 总结 NJW21194G 的高频特性和高增益使其成为信号放大、开关控制和电源管理的理想选择。它在消费电子、通信设备、工业控制和汽车电子等领域都有广泛的应用。具体应用时，需根据电路需求选择合适的偏置条件和外围元件以确保性能稳定。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 16A 250V 200W TO-3P两极晶体管 - BJT 200W NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor NJW21194G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NJW21194G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 4V @ 3.2A，16A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 20 @ 8A，5V |
| 产品种类 | Transistors Bipolar- Audio |
| 供应商器件封装 | TO-3P |
| 其它名称 | NJW21194G-ND |
| 功率-最大值 | 200W |
| 包装 | 管件 |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 4 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 封装/箱体 | TO-3P |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 16 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 250V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 16A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100µA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 20 at 8 A at 5 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 20 |
| 系列 | NJW21194 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 250 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 400 V |
| 频率-跃迁 | 4MHz |
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